深入理解下面的結論對于結構設計是十分重要的。
　　1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽箱效能越高，但實際的金屬材料不可能兼顧這兩個方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差；鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側重導電性還是導磁性；
　　2）頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；
　　3）反射損耗與輻射源的特性有關，對于電場輻射源，反射損耗很大；對于磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。
　　4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關，對于電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對于磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越??；正確判斷輻射源的性質，決定它應該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結構設計的一個重要內容。
　　5）頻率較高時，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時與輻射源是電場輻射源還是磁場輻射源關系不大。
　　6）電場波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場，很難屏蔽。對于低頻磁場，要采用高導磁性材料屏蔽，影響屏蔽材料的屏蔽效能的因素甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。